国家/地区 美国（658） 中国（530） 世界知识产权组织（359） 韩国（336） 日本（237） 欧洲专利局（EPO）（199） 台湾（101） 印度（69） 德国（38） 英国（22） 新加坡（21） 俄罗斯（20） 加拿大（19） 澳大利亚（15） 法国（11） 香港（8） 巴西（6） 西班牙（6） 墨西哥（4） 波兰（4）
IPC部 B（1184）
IPC大类 H01（1184） B82（792） C01（436）
B32（241） C23（159） B01（114）
C09（105） G01（92） H05（89）
B05（85） C08（83） B29（49）
B23（37） C30（36） G02（35）
IPC小类 H01L（1184）
IPC B82Y040/00（456） B82Y030/00（423） H01L029/16（239）
C01B031/04（209） C01B031/02（195） H01L021/02（184）
H01L029/06（150） H01L029/786（131） B32B009/00（129）
B82Y010/00（124） H01L031/18（104） H01L051/00（99）
H01L021/336（98） B82Y099/00（96） H01L029/66（96）
发明人 CHOI J（30） LEE J（28） SHIN H（26）
CHOI J Y（23） SHIN H J（22） ZHANG Y（22）
KIM S（20） ZHANG X（20） CHUNG H（19）
ZHANG L（18） CHUNG H J（17） HEO J（17）
LEE J H（17） LEE S（17） LIN Y（17）
公开年 2021（141） 2013（138） 2022（131） 2014（125） 2012（107） 2015（85） 2017（75） 2016（70） 2020（67） 2011（66） 2018（61） 2023（48） 2010（28） 2019（21） 2009（18）
申请年 2012（140）  2021（128）  2020（118）  2013（111）  2011（109）  2014（92）  2015（78）  2022（75）  2016（65）  2019（62）  2017（57）  2010（51）  2018（41）  2009（32）  2008（12）  2023（8）  2002（2）  2007（2） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（105） INT BUSINESS.（59） UNIV SUNGKYU.（25） TOSHIBA KK（22）
FUJITSU LTD（18） UNIV SUNGKYU.（15） UNIV SINGAPO.（14） UNIV TSINGHU.（12）
HON HAI PREC.（11） KOREA ADV IN.（10） KOREA ADVANC.（10） NOKIA CORP（10）
NOKIA TECHNO.（10） GLOBALFOUNDR.（9） HONGFUJIN PR.（9） UNIV HANYANG.（9）
UNIV CALIFOR.（8） UNIV FUDAN（8） UNIV PEKING（8） UNIV SOUTH C.（8）

Branched nano-wire array composite photoelectric film used for photo cathode protection, has composite heterojunction system cadmium sulfide/reduced graphene oxide quantum dots/titanium dioxide branched nanowire array composite photoelectric film.

HOU B, LU G, SUN M, JIANG X

Chemical mechanical grinding element for semiconductor manufacturing, has carbon nano tube coated on substrate, and substrate comprised with polycrystalline silicon and polymer, where polymer is formed as graphene adhesive material.

SHEN J

Preparing full two-dimensional short channel field-effect transistor in large-scale comprises e.g. covering spin-coat photoresist to surface of local dielectric layer, and evaporating metal electrode to form contact electrode on source.

YU D, LOU H, CAO Z, LIAO Z

Preparing copper-clad aluminum composite welding strip used in interconnection strip, bus belt comprises surface cleaning of copper strip and aluminum rod, wrapping, multiple drawing of composite copper rod, and ultrasonic testing, drawing composite copper wire, heat annealing and tin plating.

DONG W, ZHANG W, GAO L, CHEN Q

Method for generating white light using white light-emitting quantum dots, involves mixing naphthalene and heteroatom co-doping compound, fabricating heteroatom co-doped graphene quantum dots from obtained mixture, and generating white light using obtained white-light emitting quantum dots.

SAGAR V K, BISHT P B

Manufacturing optical device by forming resist of predetermined shape on multilayer graphene, and processing multilayer graphene together with resist, removing resist covering, and providing electrode covering exposed inclined end face of multilayer graphene.

KONDO D, HAYASHI K, ASO H

Detection device with broadband photoelectric response, comprises thallium-nickel-selenide nanosheets, which are metal source and drain electrode layers, made by ultraviolet lithography and electron beam evaporation technology, and thallium nickel selenide nanosheet used as photosensitive element.

CHEN X, LI G, ZHANG L, ZHANG S, LIU C, HAN L

Fabricating graphene tunnel field effect transistor involves growing first layer on silicon carbide, where first layer comprises graphene, growing second layer over first layer, where second layer comprises graphene, forming source polarity gate metal over source region, drain polarity gate metal.

SHARMA R, PANDEY R, MADAN J, SHARMA P

Photo-induced pure spin flow Sawtooth graphene device has triangulation provided with left electrode, right electrode and middle area, where middle area is provided with head-to-head triangle alkene, and photoelectric nano device is to take middle area as axis.

HUANG X, DONG Y

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M